Intel và Micron giới thiệu chip nhớ 3D 32 lớp, có thể dùng cho ổ SSD tối đa 10TB

mới đây đã công bố công nghệ bộ nhớ 3D “có mật độ lưu trữ dày đặc nhất thế giới”. Để làm được chuyện đó, hai hãng đã sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Cũng giống như khi bạn ở trong một thành phố có quá đông dân cư mà diện tích lại hạn chế thì bạn phải chuyển qua xây các tòa nhà cao tầng để chứa thêm người thay vì xây nhà phố. Kết quả mà Intel và Micron đạt được là những con chip có dung lượng 256Gb (tương đương 32GB, nếu dùng cấu trúc MLC) hoặc 384Gb (tương đương 48GB, nếu dùng TLC). Nếu đóng gói nhiều con chip này vào trong một ổ SATA 2,5″ thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10TB, còn nếu dùng ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3,5TB, tức cao hơn gấp 3 lần so với những ổ thương mại hiện nay.

intel-27-3Ngoài lợi ích về dung lượng thì công nghệ NAND flash 3D của Intel và Micron còn mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất “floating-gate cell” giống như các chip nhớ 2D từ trước đến nay. Chế độ “sleep” mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc vài con chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Hai công ty cũng áp dụng những kĩ thuật mới để giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với những thế hệ trước.

Chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể được xài cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện những con chip nhớ mới này đang được thử nghiệm trong nội bộ hai công ty và việc sản xuất đại trà sẽ diễn ra trong nửa sau năm nay. Đáng tiếc là chúng ta chưa có thông tin gì về tốc độ cũng như tuổi thọ của chip.

Ngoài Intel và Micron, Samsung trước đây cũng từng giới thiệu công nghệ 3D vNAND để tạo ra những con chip nhớ với kiến trúc cell theo chiều dọc. Lúc đó mỗi con chip 3D vNAND của hãng có dung lượng 16GB (tháng 8/2013). Chúng được sản xuất bằng công nghệ Charge Trap Flash (CTF). Đây là kĩ thuật dùng để tạo ra các chip NAND flash sử dụng lớp phim silion nitride để chứa điện tử chứ không dùng silicon đa tinh thể như kĩ thuật “Floating-Gate” thông thường.

SLC (single-level cell), MLC (multi-level cell), TLC (triple-level cell) là các loại chip nhớ NAND flash phổ biến hiện nay đang được dùng cho các ổ SSD. Về mặt vật lý thì những con chip nhớ này giống nhau, chúng đều được cấu thành từ những bóng bán dẫn. Nhưng điểm khác biệt nằm ở số bit mà mỗi cell nhớ có thể chứa được: SLC chỉ chứa 1 bit, MLC chứa 2 bit và TLC chứa 3 bit. Xét về mặt dung lượng thì các ổ SSD SLC chứa được ít dữ liệu nhất nhưng có tuổi thọ dài nhất, còn TLC có không gian rộng rãi nhất nhưng bù lại tuổi thọ không cao bằng MLC hay SLC.

    Nhưng khoảng cách về tuổi thọ của cả 3 loại này đang được rút ngắn lại nhờ các công nghệ mới. Ngay cả ổ SSD TLC vẫn có tuổi thọ đủ để một người dùng phổ thông xài hết vòng đời sản phẩm, lúc đó nhiều khả năng họ đã đổi ổ SSD trước khi ổ cũ bị hư, tượng tự cho loại MLC. Hiện một số hãng như Samsung, SanDisk cũng đã bán ra các ổ SSD thương mại dùng TLC.

intel-27-3-1Theo Tinhte

Bài viết liên quan