Samsung làm mới dòng SSD 850 EVO với giao tiếp M.2 và m.SATA

Sau phiên bản 2,5 inch, tiếp tục ra mắt hai mẫu SSD mới của dòng 850 EVO, sử dụng giao tiếp M.2 và m.SATA hướng đến ultrabook và các máy tính nhỏ gọn khác. Thiết kế 850 EVO chuẩn M.2 và m.SATA vẫn dựa trên giao tiếp nền tảng SATA, tốc độ đọc và ghi dữ liệu tuần tự cao nhất đạt mức 540 MB/giây và 520 MB/giây, hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên là 97.000 và 89.000 lượt dữ liệu (4Kb) vào/ra mỗi giây (IOPS).

samsung-3-4Các SSD mới áp dụng công nghệ chip nhớ TLC 3D V-NAND với kỹ thuật xếp chồng đến 32 lớp tế bào ô nhớ và chia sẻ kết nối liên tuyến theo phương dọc trong không gian đa chiều nhằm mang lại băng thông nhanh và lớn hơn, phù hợp với nhu cầu người dùng cần hiệu năng cao.

Vào cuối tháng Ba vừa qua, một số hãng công nghệ lớn như đã giới thiệu chip nhớ 3D NAND cũng có 32 lớp tế bào ô nhớ và mới nhất là Toshiba cũng công bố phát triển chip nhớ 3D NAND có đến 48 lớp và cấu trúc này được gọi là BiCS (bit cost scalable). Tuy nhiên tính đến thời điểm này thì chỉ có SSD của Samsung đã bán ra thị trường trong khi những hãng khác vẫn đang trong giai đoạn thử nghiệm.

Bộ nhớ flash sẽ hao mòn theo thời gian vì dữ liệu được đánh dấu để xóa, đổi vị trí và dữ liệu mới được ghi theo quy trình còn gọi là chu kỳ ghi – xoá (P/E cycle). Flash NAND TLC (triple level cell) chứa 3 bit dữ liệu và vấn đề lớn nhất của chip nhớ này là độ tin cậy thấp hơn đáng kể so với flash SLC (single level cell) và MLC (multi level cell).

Cụ thể flash NAND SLC chứa 1 bit dữ liệu có độ tin cậy và độ bền cao nhất với 50.000 đến 100.000 chu kỳ P/E. Flash MLC chứa 2 bit dữ liệu có thể chịu được khoảng 5.000 đến 10.000 chu kỳ trong khi TLC có độ bền thấp nhất, chỉ từ 500 đến 1.000 chu kỳ P/E.

Để giải quyết vấn đề trên, Samsung đã đưa ra một số công nghệ tiên tiến, chẳng hạn công nghệ bộ nhớ đệm với tên gọi TurboWrite có tác dụng tăng tốc độ ghi dữ liệu, tiện ích Magician giám sát trạng thái hoạt động, cung cấp một số công cụ quản lý hiệu suất, trong đó tùy chọn Rapid Mode cho phép sử dụng cả bộ nhớ hệ thống RAM là vùng lưu trữ tạm dữ liệu nhằm tăng tốc độ truy xuất dữ liệu.

Với ưu thế về hiệu suất và có giá thành thấp hơn so với flash SLC và MLC, chip nhớ TLC sẽ trở nên phổ biến hơn và được sử dụng trong phần lớn máy tính xách tay và máy tính bảng trong thời gian tới. Thống kê của DRAMeXchange cho biết tính đến cuối quý IV năm ngoái, lượng flash TLC chiếm khoảng 37% và dự báo sẽ chiếm đến phân nửa tổng lượng bộ nhớ xuất xưởng cuối năm nay.

mới có các phiên bản dung lượng gồm 120GB giá tham khảo 100 USD, 250GB giá 150 USD, 500GB giá 270 USD và cả 1TB, giao tiếp m.SATA, giá 500 USD. Theo Samsung cho biết độ bền công bố của mẫu 120GB và 250GB vào khoảng 75 TBW (terabytes written) trong khi mẫu dung lượng 500GB và 1TB là 150 TBW.

Theo Tinhte

Bài viết liên quan